型号:

MMBT5550LT1G

RoHS:无铅 / 符合
制造商:ON Semiconductor描述:TRANS SS NPN 140V HV SOT23
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MMBT5550LT1G PDF
产品变化通告 Wire Change 08/May/2007
Possible Adhesion Issue 11/July/2008
产品目录绘图 Transistor SOT-23-3 Pkg
标准包装 3,000
系列 -
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 60mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 140V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 250mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 60 @ 10mA,5V
功率 - 最大 225mW
频率 - 转换 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3(TO-236)
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1559 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 MMBT5550LT1GOS
MMBT5550LT1GOS-ND
MMBT5550LT1GOSTR
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